由于電力電子器件市場對酸腐蝕硅片的需求，如何制備光澤度較好的酸腐蝕硅片越來受到關(guān)注。本文主要介紹了酸腐蝕工藝對腐蝕片光澤度的影響。


 

硅單晶片的表面加工工藝一般分為研磨片、腐蝕片、拋光片等主要成型工藝，由于最終的使用目的不同，以上三種類型的硅片應(yīng)用在不同的領(lǐng)域。

研磨片一般是在切片的基礎(chǔ)上雙面研磨50-70um，以去除切片時表面留下的線痕等缺陷；腐蝕片主要是去除研磨片加工時形成的損傷層，常規(guī)工藝一般去除30um，酸腐蝕片表面光澤度一般在80-120Gs；拋光片是為了改善腐蝕片的平坦性，通過機(jī)械化學(xué)拋光進(jìn)一步去除損傷層，使硅片表面達(dá)到鏡面效果，有較好的光澤度和較小的粗糙度]。

近年來，有些產(chǎn)品對硅片表面光澤度要求越來越高，其主要是應(yīng)用硅片表面的鏡面效果；在聚焦時降低能耗，一些生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域制造芯片，以及能源領(lǐng)域的可控硅等用途]，因腐蝕片很難達(dá)到較好鏡面效果，所以這些領(lǐng)域通常使用拋光片；拋光片有較高的表面平整度，較小的粗糙度，較好的鏡面效果；但拋光片對加工設(shè)備、加工環(huán)境和清洗方式、化學(xué)輔料等要求較高，相應(yīng)成本也會較大]，這些領(lǐng)域使用拋光片不僅質(zhì)量過剩，而且增加了成本負(fù)擔(dān)。為了降低成本，提高硅片表面光澤度，提高工藝技術(shù)越來越迫切，隨著工藝技術(shù)進(jìn)步，酸腐片的表面光澤度的改善已經(jīng)得到顯著的提高，漸得到改善。

有關(guān)學(xué)者研究論證，隨著腐蝕去除量的增加酸腐片的光澤度越來越大；而隨著加工硅片數(shù)量的增加酸腐片的光澤度變小。